个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
教师拼音名称:liuhaijun
入职时间:2016-10-24
所在单位:机械制造工程系
学历:研究生(博士)毕业
性别:男
学位:工学博士学位
在职信息:在职
毕业院校:大连理工大学
学科:机械设计及理论
机械电子工程
机械工程其他专业
机械制造及其自动化
其他联系方式Other Contact Information
邮编 :
通讯/办公地址 :
个人简介Personal Profile
机械工程学院硕士生导师。
2009年本科毕业于山东大学机械设计制造及其自动化专业,2016年10月在大连理工大学机械制造及其自动化专业获得博士学位(硕博连读)。此后在合肥工业大学机械工程学院机械制造工程系工作。其中2022年9月至2023年9月在国家留学基金委的资助下以博士后身份到新加坡国立大学研修一年。
中国机械工程学会高级会员,教育部学位中心学位论文评审人,国家自然科学基金委评议人,在Surface Topography Metrology and Properties, Measurement Science and Technology, Materials Research Express, Frontiers of Mechanical Engineering, Precision Engineering等国际学术期刊发表或合作发表论文10余篇。主持国家自然科学青年基金、学术新人提升计划B项目、博士专项科研资助基金项目等3项。指导毕业研究生4人。
研究方向:半导体加工制造、半导体测试技术、集成电路(IC)芯片制造及检测
欢迎咨询报考研究生。
主持科研项目
[1] 国家自然科学青年基金项目(51805135):基于硅片整体变形的磨削亚表面损伤定量评价方法研究。
[2] 学术新人提升计划B项目(JZ2023HGTB0249):考虑磨粒叠加效应的单晶硅片磨削表面创成机理与损伤评价研究。
[3] 博士专项科研资助基金(JZ2017HGBZ0956):非线性域残余应力作用下的硅片变形规律研究。
发表论文
[1] H. Liu, Q. Zhang, et al. Residual stress distribution of silicon wafers machined by rotational grinding based on molecular dynamics[J]. Journal of Manufacturing Processes. 2024, 119(10):565-573.(SCI 检索)
[2] H. Liu, T. Yang, et al. Iterative method for obtaining nonuniform grinding-induced residual stress distribution of silicon wafers based on global deformation[J]. Materials Science in Semiconductor Processing. 2022, 150: 106971.(SCI 检索)
[3] H. Liu, T. Yang, et al. Obtainment of Residual Stress Distribution from Surface Deformation under Continuity Constraints for Thinned Silicon Wafers[J]. Machines. 2021, 9(11): 284.(SCI 检索,Editor's Choice Article)
[4] H. Liu, M. Dai, et al. Modified Stoney formula for determining stress within thin films on large-deformation isotropic circular plates[J]. AIP Advances. 2021, 11(12): 125009.(SCI 检索,期刊封面论文与Featured Article)
[5] H. Liu, J. Zhou, et al. Evaluation of polishing-induced subsurface damage based on residual stress distribution via measured global surface deformation for thinned silicon wafers[J].Surface Topography-Metrology and Properties. 2021, 9(3).(SCI 检索)
[6] H. Liu, J. Han, et al. Accurate determination of bifurcation points for ground silicon wafers considering anisotropy using FEM method[J]. Materials Research Express. 2019, 6(9): 95906.(SCI 检索)
授权发明专利
[1] 刘海军,周静等; 一种完全消除重力影响的薄基片变形测量装置,授权日期:2021-11-16,中国,ZL202010465671.0.
[2] 刘海军,杨涛等;一种求解薄基片应力的方法,授权日期:2022-11-4,中国,ZL202110358535.6.
[3] 刘海军,许明贤等;一种基于人体体感温度的电热毯及其非线性调温方法,授权日期:2022-7-29,中国,ZL202110406205.X.
[4] 刘海军,杨涛等;一种求解大变形薄基片应力的方法,授权日期:2023-7-18,中国,ZL202111559536.3.
[5] 刘海军,周静等;一种薄基片厚度方向残余应力分布获取方法,授权日期:2024-03-12,中国,ZL202111145152.7.
软件著作权
[1] 刘海军; 周静等; 求解薄基片残余应力软件, 2021SR0738858, 原始取得, 全部权利, 2021-4-8.
[2] 刘海军; 谢龙先等; 圆薄基片形变应力状态预测系统, 2024SR1202324, 原始取得, 全部权利, 2024-8-19.
获奖
[1] 2019年09月,获得合肥工业大学青年教师教学基本功比赛三等奖
[2] 2018年07月,获得合肥工业大学机械工程学院优秀班主任称号