一种基于SiC MOSFET并联均流的控制电路
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专利说明：本发明公开了一种基于SiC MOSFET并联均流的控制电路，包括：功率电路、驱动电路和驱动供电电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和SiC MOSFET并联器件电路组成；驱动电路分为两部分完全相同的支路A驱动电路和支路B驱动电路；驱动电路是由信号输入侧、隔离型门极驱动器和输出侧三部分组成；驱动供电电路由电源Vd发生电路和驱动供电主电路组成。本发明能使并联器件开关速度更快，减少漏极电流不均衡度，并能扩大电流容量以达到设计要求。
专利类型：发明
专利状态：授权专利
申请号：CN202210692643.1
授权号：CN202210692643
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2022-06-17
公开日期：2022-09-09
授权日期：2024-03-05