基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法
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专利说明：本发明公开了一种基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法，包括：充电电路，浪涌电流产生电路、测量器件电路、放电电路和驱动电路组成，其中，充电电路由一个电压源和薄膜电容组成，进行浪涌测试之前，对薄膜电容进行充电，充电过程由充电电路进行；浪涌电流产生电路由薄膜电容和一个电感L组成，并产生正弦电流，被测器件为SiCMOSFET；驱动电路是对被测器件SiC MOSFET进行开通和关断。
专利类型：发明
专利状态：授权专利
申请号：CN202211129647.5
授权号：CN202211129647
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2022-09-16
公开日期：2022-11-25
授权日期：2024-04-12