基于谐振门极驱动的SiC MOSFET并联的控制电路
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专利说明：本发明公开了一种基于谐振门极驱动的SiCMOSFET并联的控制电路，包括：驱动电路、功率电路和驱动电源电路，其中，驱动电路是由隔离型驱动器、信号输入侧和信号输出侧组成；功率电路由SiCMOSFET并联电路组成；驱动电源电路由隔离型驱动电源电路和稳压电路组成。本发明能减少功率半导体器件在高频工作条件下的能量损耗，提高器件在并联工作时的漏极电流的均衡度，实现并联器件的均流，并拓展为多条并联支路，实现一个驱动器驱动多个器件的功能，提高电路效率。
专利类型：发明
专利状态：授权专利
申请号：CN202211174778.5
授权号：CN202211174778
发明人数：7
是否职务专利：否
申请日期：2022-09-26
公开日期：2022-12-06
授权日期：2024-03-01