唐飞翔
Gender:Male
Education Level:With Certificate of Graduation for Doctorate Study
Alma Mater:武汉大学
Profile
MORE+唐飞翔，中共党员，安徽合肥人，本硕博分别毕业于长安大学（211）、西安交通大学（985）和武汉大学（985）。
在科研领域，唐飞翔以第一作者或通讯作者发表SCI论文12篇、北大核心1篇，内容涵盖MEMS微针生物力学、芯片封装工艺力学、功能材料多物理场耦合等方向，多篇成果发表于TOP期刊（如《Microsystems & Nanoengineering》、《Composite Structures》、《Applied Mathematics and Mechanics》）。作为主要核心骨干参与科技部重点研发计划（经费1.25亿）等国家级课题，主导工艺优化、脑机接口系统研发等关键技术攻关，并拥有丰富的专利成果（第一作者及导师一作授权专利8项，参与授权专利十余项）。
产业经验方面，曾任职合肥京东方光电科技研发工程师，精通半导体显示制造流程；后担任合肥阿基米德电子科技产品经理，主导功率半导体IGBT设计选型，推动产学研深度融合。
目前研究方向聚焦植入式MEMS器件、芯片封装力学及半导体制造工艺、MEMS功能梯度材料制备及应用，致力于解决高端装备与生物医学工程中的核心力学问题。
联系方式：18700946190 | thomas0209@whu.edu.cn
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长安大学
获得工学学士学位
[2]
西安交通大学
获得硕士学位
[3]
武汉大学
师从刘胜院士，长期致力于芯片封装、生物力学、脑机接口器件与装备等方向研究。
[1]
合肥阿基米德半导体有限公司
| IGBT功率器件产品经理
[2]
合肥京东方光电科技有限公司
| B3研发部