Parallel Connection of Silicon Carbide MOSFETs – Challenges, Mechanism, and Solutions
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DOI码：10.1109/TPEL.2023.3278270
发表刊物：IEEE Transactions on Power Electronics
合写作者：Xiongfei Wang,Lijian Ding,Alan Mantooth
第一作者：Helong Li
论文类型：期刊论文
通讯作者：Shuang Zhao*
学科门类：工学
文献类型：J
卷号：38
期号：3
页面范围：9731-9750
是否译文：否
发表时间：2023-05-18
收录刊物：SCI