赵爽  (副教授)

硕士生导师

学历:研究生(博士)毕业

办公地点:逸夫楼

性别:男

学位:博士学位

在职信息:在职

毕业院校:University of Arkansas

学科:电力电子与电力传动

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

A review on switching slew rate control for silicon carbide devices using active gate drivers

点击次数:

发表刊物:IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

合写作者:Xingchen Zhao,Yuqi Wei,Yue Zhao,Alan Mantooth

第一作者:Shuang Zhao*

论文类型:期刊论文

学科门类:工学

文献类型:J

卷号:9

期号:4

是否译文:

发表时间:2020-07-10

收录刊物:SCI

上一条: An intelligent versatile model-based trajectory-optimized active gate driver for silicon carbide devices

下一条: Adaptive Multi-Level Active Gate Drivers for SiC Power Devices