Infrared-Sensitive Memory Based on Direct-Grown MoS2–Upconversion-Nanoparticle Heterostructure
- 影响因子：29.4
- DOI码：10.1002/adma.201803563
- 发表刊物：Advanced Materials
- 第一作者：Yongbiao Zhai
- 论文类型：期刊论文
- 通讯作者：Feng Wang,Ye Zhou,Su-Ting Han
- 文献类型：J
- 卷号：30
- 期号：49
- 页面范围：1803563
- ISSN号：0935-9648
- 是否译文：否
- 发表时间：2018-10-10
