Polyoxometalates-Modulated Reduced Graphene Oxide Flash Memory with Ambipolar Trapping as Bidirectional Artificial Synapse
- 影响因子：6.2
- DOI码：10.1002/aelm.201800444
- 发表刊物：Advanced Electronic Materials
- 第一作者：Xiaoli Chen
- 论文类型：期刊论文
- 通讯作者：Su-Ting Han
- 文献类型：J
- 卷号：4
- 期号：12
- 页面范围：1800444
- ISSN号：2199-160X
- 是否译文：否
- 发表时间：2018-09-20
