Course Introduction:本课程主要介绍常见半导体材料的基本物理、化学性质和用途以及主要制备方法。重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓及其他半导体材料的性质及制备方法。具体内容包括硅和锗两种典型元素半导体的化学制备；区熔提纯；晶体生长及晶体中的杂质和缺陷；硅外延生长；Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；氧化物半导体及其他新型半导体材料等。内容安排主要涵盖了半导体及微电子专业材料基础相关知识，是理解和掌握微电子器件原理的必备基础。预期通过本课程的学习和互动，学生可以掌握半导体材料的重要特性、制备方法和应用领域，了解半导体材料最新发展情况、为继续深造或直接在电子材料和电子信息行业工作奠定良好基础。
Schedule:2018-09-19:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-10-05:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-09-21:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-09-07:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-09-28:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-09-12:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-09-26:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-09-05:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-09-14:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室;2018-10-03:三教207 力学组合梁，等强度梁电测实验室
Teacher:张彦(物理)
School Year:2018-2019
Semester:Autumn Term
Course number:1011200X
Credits:2.0
Course Type:Undergraduate Course:
Top-Quality Courses or Not:no
Maximum Number of Students:92
Required Class Hours:32.0