Patent description:本发明公开了一种基于并联SiCMOSFET动静态参数影响下的电流测量系统，包括：功率电路、驱动电路和驱动供电电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和测量器件电路组成；驱动电路分为两部分完全相同的上半桥驱动电路和下半桥驱动电路；驱动供电电路由电压Vd发生电路和驱动供电主电路组成。本发明能解决SiCMOSFET器件由于静态参数分散性，功率回路、驱动电路以及封装结构的寄生参数具有不对称性导致并联器件之间出现的电流不平衡现象，并能通过并联SiCMOSFET来扩大电流容量以达到设计要求。
Type of Patent:Invent
State of Patent:Authorized patents
Application Number:CN202210322334.5
Authorization number:CN202210322334
Number of Inventors:7
Service Invention or Not:no
Application Date:2022-03-09
Publication Date:2022-06-03
Authorization Date:2024-04-12