副教授，硕士生导师。2014年获得英国谢菲尔德大学博士学位，于同年在英国谢菲尔德大学-英国国家宽禁带半导体研发中心进行博士后研究工作。长期从事氮化镓、氮化铝等第三代(宽禁带)半导体材料及光电子器件的MOCVD外延及芯片制程研究。承担多项由英国工程和自然研究委员会（EPSRC）拨款的国家级重点科研项目。主持国家自然科学基金、安徽省自然科学基金、中央高校资助项目、以及多个校企联合横向课题，推进科研成果向产品的有效转化，解决产业界当下面临的科学和技术难题。目前，已在Applied Physics Letters, IEEE Electron Device Letters, Nanoscale, Optics Express, Applied Physics Express, IEEE Photonics Technology Letters, Journal of Crystal Growth等重要SCI学术期刊以第一/通讯作者发表学术论文20余篇，并获得授权专利10余项。培养安徽省优秀研究生一名，校级优秀研究生一名，所培养研究生均获得校级一等奖学金。
纵向科研项目：
1. 国家自然科学基金青年项目，2023-2025，主持，30万
2. 安徽省自然科学基金青年项目，2022-2023，主持，10万
3. 合肥工业大学学术新人提升计B，2023-2024，主持，20万
横向科研项目：
1. 企业委托类项目，2023-2026，主持 (III族氮化物材料与器件开发)，100万
2. 企业委托类项目，2020-2022，主持 (氮化镓外延工艺开发)，50万
3. 企业委托类项目，2020-2021，参与 (氧化镓基功率器件的研发)，50万
4. 企业委托类项目，2019-2020，主持 (氮化镓晶体外延工艺开发)，20万
5. 企业委托类项目，2017-2019，主持 (氮化镓LED器件的研发)，28.8万
近五年发表论文(*为通讯作者)：
1. Y. Sang, Z. Zhuang*, K. Xing*, D. Zhang, J. Yan, Z. Jiang, C. Li, K. Chen, Y. Ding, T. Tao, D. Iida, K. Wang, C. Li, K. Huang, K. Ohkawa, R. Zhang, and B. Liu*, Applied Physics Letters, 124, 11929 (2024).
2. Y. Sang, Z. Zhuang*, K. Xing*, Z. Jiang, C. Li, F. Xu, D. Zhang, J. Yu, J. Zhao, T. Zhi, T. Tao, C. Li, K. Huang. K. Ohkawa, R. Zhang, and B. Liu*, IEEE Electron Device Letters, 45, 76 (2024).
3. K. Xing*, J. Hu, Z. Pan, Z. Xia, Z. Jin, L. Wang, X. Jiang, H. Wang, H. Zeng, and X. Wang, Optics Express, 32, 11379 (2024).
4. J. Hu, K. Xing*, Z. Xia, Y. Sang, X. Yang, T. Tao, Z. Zhuang*, R. Zhang, and B. Liu, Applied Physics Letters, 123, 111107 (2023).
5. K. Xing*, Z. Xia, G. Xie, Z. Pan, Z. Zhuang*, J. Hu, Y. Sang, T. Tao, X. Yang, B. Liu, and R. Zhang, IEEE Photonics Technology Letters, 35, 1439 (2023).
6. K. Xing, G. Xie, X. Cheng, Y. Zhang*, and Q. Chen*, Journal of Crystal Growth 597, 126855 (2022).
7. Y. Liang, M. Ma, X. Zhong, C. Xie, X. Tong, K. Xing*, and C. Wu*, IEEE Electron Device Letters 42, 1192 (2021).
8. J. Wang, S. Cao, L. Yang, Y. Zhang, K. Xing*, X. Lu, and J. Xu*, Nanoscale 13, 16487 (2021).
9. K. Xing*, X. Cheng, L. Wang, S. Chen, Y. Zhang*, and H. Liang, Journal of Crystal Growth 570, 126207 (2021).
10. K. Xing*, C. Tseng, L. Wang, P. Chi, J. Wang, P. Chen, and H. Liang, Applied Physics Letters 114, 131105 (2019).
11. K. Xing*, S. Chen, X. Tao, C. Lee, J. Wang, Q. Xu, and H. Liang, Applied Physics Express 12, 115501 (2019).
12. K. Xing*, J. Wang, L. Wang, X. Tao, S. Chen, and H. Liang, Applied Physics Express 12, 105501 (2019).
已授权专利：
1. 邢琨(2020)，非极性面Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法，CN109148654B
2. 邢琨(2020)，一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法，CN107424912B
3. 邢琨(2019)，一种氮化镓纳米孔洞的制备方法，CN107978662B
4. 邢琨(2019)，半极性氮化镓外延层结构以及发光二极管，CN209859968U
5. 邢琨(2017)，一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，CN206672959U
课题组具备第三代(宽禁带)半导体材料及光电子器件的外延、芯片制程、测试表征等实验条件。课题组每年招收研究生3-5人，欢迎有志于第三代半导体光电子材料及芯片领域发展的研究生同学加入课题组。
