Temperature Modulating Fermi Level Pinning in 2D GeSe for High-Performance Transistor
- 影响因子：6.2
- DOI码：10.1002/aelm.202101112
- 发表刊物：Advanced Electronic Materials
- 第一作者：Zahir Muhammad
- 论文类型：期刊论文
- 通讯作者：Yan Wang,Weisheng Zhao
- 文献类型：J
- 卷号：8
- 期号：7
- 页面范围：2101112
- ISSN号：2199-160X
- 是否译文：否
- 发表时间：2022-02-09
