Building Functional Memories and Logic Circuits with 2D Boron Nitride
- 影响因子：19.0
- DOI码：10.1002/adfm.202004733
- 发表刊物：Advanced Functional Materials
- 第一作者：Xiao-Tong Liu
- 论文类型：期刊论文
- 通讯作者：Su-Ting Han,Ye Zhou
- 文献类型：J
- 卷号：31
- 期号：4
- 页面范围：2004733
- ISSN号：1616-301X
- 是否译文：否
- 发表时间：2020-09-28
