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Influences of device and circuit mismatches on paralleling silicon carbide MOSFETs

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影响因子：5.967

DOI码：10.1109/TPEL.2015.2408054

发表刊物：IEEE Transactions on Power Electronics

论文类型：期刊论文

是否译文：否

发表时间：2016-01-20

收录刊物：SCI、EI、SSCI

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李贺龙 (教授)